APTC80DA15T1G

Microsemi Corporation

APTC80DA15T1G

模拟与电源

MOSFET N-CH 800V 28A SP1

停产/老旧SP1模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 14A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4507 pF @ 25 V
制造商Microsemi Corporation
安装类型Chassis Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 2mA

电气

漏源电压800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28A (Tc)
最大功耗277W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseSP1
供应商器件封装SP1

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)