APTC60DAM35T1G

Microsemi Corporation

APTC60DAM35T1G

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 72A SP1

停产/老旧SP1模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 72A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs518 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds14000 pF @ 25 V
制造商Microsemi Corporation
安装类型Chassis Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 5.4mA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C72A (Tc)
最大功耗416W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseSP1
供应商器件封装SP1

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)