APT60M80JVR

Microsemi Corporation

APT60M80JVR

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 55A ISOTOP

停产/老旧SOT-227-4, miniBLOC模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs870 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds14500 pF @ 25 V
制造商Microsemi Corporation
安装类型Chassis Mount
Product StatusObsolete
系列POWER MOS V®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 5mA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C55A (Tc)
最大功耗568W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装ISOTOP®

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)