通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 10A, 20V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 20 V |
| 制造商 | Microsemi Corporation |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 1200 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| 最大功耗 | 175W (Tc) |
机械
| 封装 | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | D-3 Module |
| 供应商器件封装 | D3 |
环境
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
|---|