NAND256W3A2BZA6E

Micron Technology Inc

NAND256W3A2BZA6E

存储器与存储

IC FLASH 256MBIT PAR 55VFBGA

停产/老旧55-TFBGA存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Non-Volatile
技术FLASH - NAND
访问时间50 ns
基础料号NAND256
制造商Micron Technology Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
写周期时间50ns

电气

存储容量256Mbit
存储格式FLASH
Memory InterfaceParallel
供电电压2.7V ~ 3.6V
Memory Organization32M x 8

机械

封装Tray
Package / Case55-TFBGA
供应商器件封装55-VFBGA (8x10)

环境

工作温度-40°C ~ 85°C (TA)