通用
| 存储器类型 | Volatile |
|---|---|
| 技术 | SRAM - Synchronous |
| 制造商 | Micron Technology Inc. |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 系列 | QDR™ |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 存储容量 | 9Mbit |
|---|---|
| 存储格式 | SRAM |
| Memory Interface | HSTL |
| 时钟频率 | 200 MHz |
| 供电电压 | 2.4V ~ 2.6V |
| Memory Organization | 512K x 18 |
机械
| 封装 | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 165-TBGA |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA (13x15) |
环境
| 工作温度 | 0°C~70°C(TA) |
|---|