MT53E768M32D4DT-046 AAT:E TR

Micron Technology Inc

MT53E768M32D4DT-046 AAT:E TR

Datasheet

存储器与存储

IC DRAM 24GBIT 2.133GHZ 200VFBGA

在产200-VFBGA存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Volatile
技术SDRAM - Mobile LPDDR4
制造商Micron Technology Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive

电气

存储容量24Gbit
存储格式DRAM
时钟频率2.133 GHz
供电电压1.1V
Memory Organization768M x 32

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case200-VFBGA
供应商器件封装200-VFBGA (10x14.5)

环境

GradeAutomotive
工作温度-40°C ~ 105°C (TC)
QualificationAEC-Q100