通用
| 存储器类型 | Volatile |
|---|---|
| 技术 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| 访问时间 | 3.5 ns |
| 基础料号 | MT53E512 |
| 制造商 | Micron Technology Inc. |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 写周期时间 | 18ns |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 存储容量 | 32Gbit |
|---|---|
| 存储格式 | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 时钟频率 | 2.133 GHz |
| 供电电压 | 1.06V ~ 1.17V |
| Memory Organization | 512M x 64 |
机械
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 556-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 556-TFBGA (12.4x12.4) |
环境
| 工作温度 | -25°C~85°C(TC) |
|---|