MT53E384M32D2FW-046 AAT:E

Micron Technology Inc

MT53E384M32D2FW-046 AAT:E

存储器与存储

IC DRAM 12GBIT PAR 200TFBGA

已停产200-TFBGA存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Volatile
技术SDRAM - Mobile LPDDR4X
访问时间3.5 ns
基础料号MT53E384
制造商Micron Technology Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusLast Time Buy
写周期时间18ns

电气

存储容量12Gbit
存储格式DRAM
Memory InterfaceParallel
时钟频率1.066 GHz
供电电压1.06V ~ 1.17V
Memory Organization384M x 32

机械

封装Bulk
Package / Case200-TFBGA
供应商器件封装200-TFBGA (10x14.5)

环境

工作温度-40°C~105°C(TA)