MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR

Micron Technology Inc

MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR

存储器与存储

IC DRAM 12GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

停产/老旧200-WFBGA存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Volatile
技术SDRAM - Mobile LPDDR4
基础料号MT53E384
制造商Micron Technology Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete

电气

存储容量12Gbit
存储格式DRAM
时钟频率2.133 GHz
供电电压1.1V
Memory Organization384M x 32

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case200-WFBGA
供应商器件封装200-WFBGA (10x14.5)

环境

工作温度-30°C ~ 85°C (TC)