MT53E2G32D4DE-046 WT:C

Micron Technology Inc

MT53E2G32D4DE-046 WT:C

Datasheet

存储器与存储

LPDDR4 64G 2GX32 FBGA

在产200-TFBGA存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Volatile
技术SDRAM - Mobile LPDDR4X
访问时间3.5 ns
制造商Micron Technology Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
写周期时间18ns

电气

存储容量64Gbit
存储格式DRAM
Memory InterfaceParallel
时钟频率2.133 GHz
供电电压1.06V ~ 1.17V
Memory Organization2G x 32

机械

封装Box
Package / Case200-TFBGA
供应商器件封装200-TFBGA (10x14.5)

环境

工作温度-25°C ~ 85°C (TC)