通用
| 存储器类型 | Volatile |
|---|---|
| 技术 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| 基础料号 | MT53B128 |
| 制造商 | Micron Technology Inc. |
| Product Status | Obsolete |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 存储容量 | 4Gbit |
|---|---|
| 存储格式 | DRAM |
| 供电电压 | 1.1V |
| Memory Organization | 128M x 32 |
机械
| 封装 | Bulk |
|---|
环境
| 工作温度 | -30°C~85°C(TC) |
|---|
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
| 存储器类型 | Volatile |
|---|---|
| 技术 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| 基础料号 | MT53B128 |
| 制造商 | Micron Technology Inc. |
| Product Status | Obsolete |
| 存储容量 | 4Gbit |
|---|---|
| 存储格式 | DRAM |
| 供电电压 | 1.1V |
| Memory Organization | 128M x 32 |
| 封装 | Bulk |
|---|
| 工作温度 | -30°C~85°C(TC) |
|---|