MT47R256M8EB-25E:C

Micron Technology Inc

MT47R256M8EB-25E:C

存储器与存储

IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA

已停产60-FBGA存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Volatile
技术SDRAM - DDR2
访问时间400 ps
基础料号MT47R256M8
制造商Micron Technology Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusDiscontinued at
写周期时间15ns

电气

存储容量2Gbit
存储格式DRAM
Memory InterfaceParallel
时钟频率400 MHz
供电电压1.55V ~ 1.9V
Memory Organization256M x 8

机械

封装Tray
Package / Case60-FBGA
供应商器件封装60-FBGA (9x11.5)

环境

工作温度0°C~85°C(TC)