MT47H256M4HQ-3:E TR

Micron Technology Inc

MT47H256M4HQ-3:E TR

存储器与存储

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

停产/老旧60-FBGA存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Volatile
技术SDRAM - DDR2
访问时间450 ps
基础料号MT47H256M4
制造商Micron Technology Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
写周期时间15ns

电气

存储容量1Gbit
存储格式DRAM
Memory InterfaceParallel
时钟频率333 MHz
供电电压1.7V ~ 1.9V
Memory Organization256M x 4

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case60-FBGA
供应商器件封装60-FBGA (8x11.5)

环境

工作温度0°C ~ 85°C (TC)