MT46V32M16T67A3WC1

Micron Technology Inc

MT46V32M16T67A3WC1

存储器与存储

IC DRAM 512MBIT PARALLEL

在产Bulk存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Volatile
技术SDRAM - DDR
基础料号MT46V32M16
制造商Micron Technology Inc.
Product StatusActive
写周期时间15ns

电气

存储容量512Mbit
存储格式DRAM
Memory InterfaceParallel
供电电压2.5V ~ 2.7V
Memory Organization32M x 16

机械

封装Bulk

环境

工作温度-40°C ~ 85°C (TA)