MT41K128M16V89C3WC1

Micron Technology Inc

MT41K128M16V89C3WC1

存储器与存储

IC DRAM 2GBIT PARALLEL DIE

在产Bulk存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Volatile
技术SDRAM - DDR3L
基础料号MT41K128M16
制造商Micron Technology Inc.
Product StatusActive

电气

存储容量2Gbit
存储格式DRAM
Memory InterfaceParallel
供电电压1.283V ~ 1.45V
Memory Organization128M x 16

机械

封装Bulk

环境

工作温度0°C ~ 95°C (TC)