MT40A512M16Z11BWC1

Micron Technology Inc

MT40A512M16Z11BWC1

存储器与存储

IC DRAM 8GBIT PARALLEL WAFER

在产Die存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Volatile
技术SDRAM - DDR4
基础料号MT40A512M16
制造商Micron Technology Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive

电气

存储容量8Gbit
存储格式DRAM
Memory InterfaceParallel
供电电压1.14V ~ 1.26V
Memory Organization512M x 16

机械

封装Tray
Package / CaseDie
供应商器件封装Wafer