通用
| 存储器类型 | Volatile |
|---|---|
| 技术 | SDRAM - DDR4 |
| 访问时间 | 19 ns |
| 制造商 | Micron Technology Inc. |
| Product Status | Active |
| 系列 | Automotive, AEC-Q100 |
| 写周期时间 | 15ns |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 存储容量 | 16Gbit |
|---|---|
| 存储格式 | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 时钟频率 | 1.6 GHz |
| 供电电压 | 1.14V ~ 1.26V |
| Memory Organization | 2G x 8 |
机械
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
|---|
环境
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C (TC) |
|---|