MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR

Micron Technology Inc

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR

存储器与存储

IC FLASH RAM 1GBIT PAR 121VFBGA

停产/老旧121-WFBGA存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Non-Volatile, Volatile
技术FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
基础料号MT29RZ1CV
制造商Micron Technology Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete

电气

存储容量1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDDR2)
存储格式FLASH, RAM
Memory InterfaceParallel
时钟频率533 MHz
供电电压1.8V
Memory Organization128M x 8 (NAND), 32M x 16 (LPDDR2)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case121-WFBGA
供应商器件封装121-VFBGA (8x7.5)

环境

工作温度-40°C ~ 85°C (TA)