通用
| 存储器类型 | Non-Volatile, Volatile |
|---|---|
| 技术 | FLASH - NAND (SLC), DRAM - LPDDR4 |
| 访问时间 | 25 ns |
| 制造商 | Micron Technology Inc. |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 系列 | Automotive, AEC-Q100 |
| 写周期时间 | 20ns, 30ns |

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
| 存储器类型 | Non-Volatile, Volatile |
|---|---|
| 技术 | FLASH - NAND (SLC), DRAM - LPDDR4 |
| 访问时间 | 25 ns |
| 制造商 | Micron Technology Inc. |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 系列 | Automotive, AEC-Q100 |
| 写周期时间 | 20ns, 30ns |
| 存储容量 | 8Gbit (NAND), 8Gbit (LPDDR4) |
|---|---|
| 存储格式 | FLASH, RAM |
| Memory Interface | ONFI |
| 时钟频率 | 2.133 GHz |
| 供电电压 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V |
| Memory Organization | 1G x 8 (NAND), 512M x 16 (LPDDR4) |
| 封装 | Box |
|---|---|
| Package / Case | 149-VFBGA |
| 供应商器件封装 | 149-VFBGA (8x9.5) |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
|---|