MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR

Micron Technology Inc

MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR

存储器与存储

IC FLASH 6TBIT PARALLEL 333MHZ

在产存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Non-Volatile
技术FLASH - NAND
基础料号MT29F6T08
制造商Micron Technology Inc.
Product StatusActive

电气

存储容量6Tbit
存储格式FLASH
Memory InterfaceParallel
时钟频率333 MHz
供电电压2.5V ~ 3.6V
Memory Organization768G x 8

机械

封装Tape & Reel (TR)

环境

工作温度0°C~70°C(TA)