MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR

Micron Technology Inc

MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR

存储器与存储

IC FLASH 3TBIT PARALLEL 267MHZ

在产存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Non-Volatile
技术FLASH - NAND
基础料号MT29F3T08
制造商Micron Technology Inc.
Product StatusActive

电气

存储容量3Tbit
存储格式FLASH
Memory InterfaceParallel
时钟频率267 MHz
供电电压2.7V ~ 3.6V
Memory Organization384G x 8

机械

封装Tape & Reel (TR)

环境

工作温度0°C~70°C(TA)