MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR

Micron Technology Inc

MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR

存储器与存储

IC FLASH 2GBIT SPI 8UPDFN

在产8-UDFN存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Non-Volatile
技术FLASH - NAND
基础料号MT29F2G01
制造商Micron Technology Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive

电气

存储容量2Gbit
存储格式FLASH
Memory InterfaceSPI
供电电压1.7V ~ 1.95V
Memory Organization2G x 1

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-UDFN
供应商器件封装8-UPDFN (8x6) (MLP8)

环境

工作温度-40°C ~ 85°C (TA)