MT29F1G16ABBEAM68M3WC2

Micron Technology Inc

MT29F1G16ABBEAM68M3WC2

存储器与存储

IC FLASH 1GBIT PARALLEL

停产/老旧存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Non-Volatile
技术FLASH - NAND
基础料号MT29F1G16
制造商Micron Technology Inc.
Product StatusObsolete

电气

存储容量1Gbit
存储格式FLASH
Memory InterfaceParallel
供电电压1.7V ~ 1.95V
Memory Organization64M x 16

机械

封装Bulk

环境

工作温度0°C~70°C(TA)