MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR

Micron Technology Inc

MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR

存储器与存储

IC FLASH 1GBIT PARALLEL 130VFBGA

在产存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Non-Volatile
技术FLASH - NAND
基础料号MT29F1G08
制造商Micron Technology Inc.
Product StatusActive

电气

存储容量1Gbit
存储格式FLASH
Memory InterfaceParallel
供电电压1.7V ~ 1.95V
Memory Organization128M x 8

机械

封装Tape & Reel (TR)

环境

工作温度-40°C ~ 85°C (TA)