MT29E3T08EQHBBG2-3:B

Micron Technology Inc

MT29E3T08EQHBBG2-3:B

存储器与存储

IC FLASH 3TBIT PAR 272LFBGA

在产272-LFBGA存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Non-Volatile
技术FLASH - NAND
基础料号MT29E3T08
制造商Micron Technology Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive

电气

存储容量3Tbit
存储格式FLASH
Memory InterfaceParallel
时钟频率333 MHz
供电电压2.5V ~ 3.6V
Memory Organization384G x 8

机械

封装Tray
Package / Case272-LFBGA
供应商器件封装272-LFBGA (14x18)

环境

工作温度0°C~70°C(TA)