VP2206N3-G

Name: VP2206N3-G
Brand: Microchip Technology

模拟与电源

MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3

在产TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	900mOhm @ 3.5A, 10V
基础料号	VP2206
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	450 pF @ 25 V
制造商	Microchip Technology
安装类型	Through Hole
包装	Bag
产品状态	在产
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 10mA

漏源电压	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	640mA (Tj)
最大功耗	740mW (Tc)

Package / Case	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装	TO-92-3

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)