VP0808L-G

Microchip Technology

VP0808L-G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 80V 280MA TO92-3

在产TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 1A, 10V
基础料号VP0808
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150 pF @ 25 V
制造商Microchip Technology
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA

电气

漏源电压80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C280mA (Tj)
最大功耗1W (Tc)

机械

封装Bag
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装TO-92-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)