VP0109N3-G

Name: VP0109N3-G
Brand: Microchip Technology

模拟与电源

MOSFET P-CH 90V 250MA TO92-3

在产TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	8Ohm @ 500mA, 10V
基础料号	VP0109
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	60 pF @ 25 V
制造商	Microchip Technology
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA

漏源电压	90 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	250mA (Tj)
最大功耗	1W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)