VN2210N2

Name: VN2210N2
Brand: Microchip Technology

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39

在产TO-205AD, TO-39-3 Metal Can模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	350mOhm @ 4A, 10V
基础料号	VN2210
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	500 pF @ 25 V
制造商	Microchip Technology
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 10mA

漏源电压	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.7A (Tj)
最大功耗	360mW (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)