TP2104N3-G

Microchip Technology

TP2104N3-G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3

在产TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs6Ohm @ 500mA, 10V
基础料号TP2104
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds60 pF @ 25 V
制造商Microchip Technology
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C175mA (Tj)
最大功耗740mW (Ta)

机械

封装Bag
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装TO-92-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)