TP0620N3-G

Microchip Technology

TP0620N3-G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 200V 175MA TO92-3

在产TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs12Ohm @ 200mA, 10V
基础料号TP0620
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150 pF @ 25 V
制造商Microchip Technology
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 1mA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C175mA (Tj)
最大功耗1W (Ta)

机械

封装Bag
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装TO-92-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)