TN2640LG-G

Microchip Technology

TN2640LG-G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 500mA, 10V
基础料号TN2640
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds225 pF @ 25 V
制造商Microchip Technology
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 2mA

电气

漏源电压400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C260mA (Tj)
最大功耗1.3W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)