TN2124K1-G

Microchip Technology

TN2124K1-G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 240V 134MA TO236AB

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs15Ohm @ 120mA, 4.5V
基础料号TN2124
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50 pF @ 25 V
制造商Microchip Technology
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

电气

漏源电压240 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)3V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C134mA (Tj)
最大功耗360mW (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装TO-236AB (SOT23)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)