TC7920K6-G

Microchip Technology

TC7920K6-G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N/2P-CH 200V 12DFN

在产12-VFDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs10Ohm @ 1A, 10V
基础料号TC7920
配置2 N and 2 P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds52pF @ 25V, 54pF @ 25V
制造商Microchip Technology
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 1mA

电气

漏源电压200V

机械

Package / Case12-VFDFN Exposed Pad
供应商器件封装12-DFN (4x4)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)