MSCSM120HM31CT3AG

Microchip Technology

MSCSM120HM31CT3AG

模拟与电源

SIC 4N-CH 1200V 89A SP3F

在产Module模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs31mOhm @ 40A, 20V
基础料号MSCSM120
配置4 N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs232nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3020pF @ 1000V
制造商Microchip Technology
安装类型Chassis Mount
Product StatusActive
技术Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA

电气

漏源电压1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C89A (Tc)
Power - Max395W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseModule
供应商器件封装SP3F

环境

工作温度-40°C ~ 175°C (TJ)