MSCSM120DDUM16TBL3NG

Microchip Technology

MSCSM120DDUM16TBL3NG

Datasheet

模拟与电源

SIC 4N-CH 1200V 150A

在产Module模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 80A, 20V
基础料号MSCSM120
配置4 N-Channel, Common Source
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs464nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6040pF @ 1000V
制造商Microchip Technology
安装类型Chassis Mount
包装Bulk
产品状态在产
技术Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 6mA

电气

漏源电压1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C150A
Power - Max560W

机械

Package / CaseModule

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)