MSC400SMA330B4

Microchip Technology

MSC400SMA330B4

Datasheet

模拟与电源

MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-24

在产TO-247-4模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs520mOhm @ 5A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds579 pF @ 2400 V
制造商Microchip Technology
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+23V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.97V @ 1mA

电气

漏源电压3300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)
最大功耗131W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-247-4
供应商器件封装TO-247-4

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)