MRH25N12U3SR

Microchip Technology

MRH25N12U3SR

Datasheet

模拟与电源

RH MOSFET 250V U3

在产3-SMD, No Lead模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs210mOhm @ 7.8A, 12V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1980 pF @ 25 V
制造商Microchip Technology
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

电气

漏源电压250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12.4A (Tc)
最大功耗75W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / Case3-SMD, No Lead
供应商器件封装U3 (SMD-0.5)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)