LP0701N3-G

Microchip Technology

LP0701N3-G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 16.5V 500MA TO92

在产TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 300mA, 5V
基础料号LP0701N3
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds250 pF @ 15 V
制造商Microchip Technology
安装类型Through Hole
包装Bag
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

电气

漏源电压16.5 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Tj)
最大功耗1W (Tc)

机械

Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装TO-92

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)