LND150N3-G

Name: LND150N3-G
Brand: Microchip Technology

模拟与电源

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

在产TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1000Ohm @ 500µA, 0V
基础料号	LND150
FET Feature	Depletion Mode
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	10 pF @ 25 V
制造商	Microchip Technology
安装类型	Through Hole
包装	Bag
产品状态	在产
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V

漏源电压	500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30mA (Tj)
最大功耗	740mW (Ta)

Package / Case	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装	TO-92-3

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)