LND01K1-G

Name: LND01K1-G
Brand: Microchip Technology

模拟与电源

MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5

在产SC-74A, SOT-753模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4Ohm @ 100mA, 0V
基础料号	LND01
FET Feature	Depletion Mode
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	46 pF @ 5 V
制造商	Microchip Technology
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+0.6V, -12V

漏源电压	9 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	330mA (Tj)
最大功耗	360mW (Ta)

工作温度	-25°C~125°C(TJ)