JAN1N5621

Microchip Technology

JAN1N5621

模拟与电源

DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

在产A, Axial模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号1N5621
制造商Microchip Technology
安装类型Through Hole
包装Bulk
产品状态在产
Reverse Recovery Time (trr)300 ns
技术Standard

电气

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.6 V @ 3 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr500 nA @ 800 V
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

机械

Package / CaseA, Axial
供应商器件封装A, Axial

环境

GradeMilitary
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C
QualificationMIL-PRF-19500/429