DN3545N8-G

Microchip Technology

DN3545N8-G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA

在产TO-243AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs20Ohm @ 150mA, 0V
基础料号DN3545
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds360 pF @ 25 V
制造商Microchip Technology
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

电气

漏源电压450 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta)
最大功耗1.6W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-243AA
供应商器件封装TO-243AA (SOT-89)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)