APTML100U60R020T1AG

Microchip Technology

APTML100U60R020T1AG

模拟与电源

MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

在产SP1模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs720mOhm @ 10A, 10V
基础料号APTML100
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6000 pF @ 25 V
制造商Microchip Technology
安装类型Chassis Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 2.5mA

电气

漏源电压1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
最大功耗520W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseSP1
供应商器件封装SP1

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)