APTM20AM05FG

Microchip Technology

APTM20AM05FG

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6

在产SP6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 158.5A, 10V
基础料号APTM20
配置2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs448nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds27400pF @ 25V
制造商Microchip Technology
安装类型Chassis Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 10mA

电气

漏源电压200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C317A
Power - Max1136W

机械

封装Bulk
Package / CaseSP6
供应商器件封装SP6

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)