APTM120UM70DAG

Microchip Technology

APTM120UM70DAG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 1200V 171A SP6

在产SP6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 85.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1650 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds43500 pF @ 25 V
制造商Microchip Technology
安装类型Chassis Mount
包装Bulk
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 30mA

电气

漏源电压1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C171A (Tc)
最大功耗5000W (Tc)

机械

Package / CaseSP6
供应商器件封装SP6

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)