APTM10DAM02G

Microchip Technology

APTM10DAM02G

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 495A SP6

在产SP6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 200A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40000 pF @ 25 V
制造商Microchip Technology
安装类型Chassis Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 10mA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C495A (Tc)
最大功耗1250W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseSP6
供应商器件封装SP6

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)