APTM100H45SCTG

Microchip Technology

APTM100H45SCTG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

在产SP4模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs540mOhm @ 9A, 10V
基础料号APTM100
配置4 N-Channel (Full Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs154nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4350pF @ 25V
制造商Microchip Technology
安装类型Chassis Mount
包装Bulk
产品状态在产
系列POWER MOS 7®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA

电气

漏源电压1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A
Power - Max357W

机械

Package / CaseSP4
供应商器件封装SP4

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)