APTM100A23STG

Microchip Technology

APTM100A23STG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

在产SP4模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs270mOhm @ 18A, 10V
基础料号APTM100
配置2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs308nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8700pF @ 25V
制造商Microchip Technology
安装类型Chassis Mount
包装Bulk
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 5mA

电气

漏源电压1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36A
Power - Max694W

机械

Package / CaseSP4
供应商器件封装SP4

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)